6N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 6N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для 6N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6N65D даташит

 ..1. Size:431K  jh
6n65 6n65f 6n65d.pdfpdf_icon

6N65D

6N65 JH 650V N-Channel Power MOSFET S E M I C O N D U C T O R FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(ON)

 0.1. Size:266K  st
stf26n65dm2.pdfpdf_icon

6N65D

 0.2. Size:596K  st
stw56n65dm2.pdfpdf_icon

6N65D

STW56N65DM2 N-channel 650 V, 0.058 typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW56N65DM2 650 V 0.065 48 A 360 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extre

 0.3. Size:264K  st
stp26n65dm2.pdfpdf_icon

6N65D

STP26N65DM2 Datasheet N-channel 650 V, 0.156 typ., 20 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STP26N65DM2 650 V 0.190 20 A 170 W Fast-recovery body diode 3 2 Extremely low gate charge and input capacitance 1 Low on-resistance TO-220 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness D(2, T

Другие IGBT... 2N65D, 2N65N, 2N65M, 5N65D, 5N65E, 5N65M, 5N65N, 6N65F, IRF640N, LNB10R040W3, LNB20N60, LNB20N65, LNB4N80, LNC045R090, LNC04R035B, LNC04R050, LNC06R062