LNB10R040W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNB10R040W3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 909 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de LNB10R040W3 MOSFET
LNB10R040W3 Datasheet (PDF)
lnc10r040w3 lnd10r040w3 lne10r040w3 lnb10r040w3.pdf

LNC10R040W3/LND10R040W3/LNE10R040W3/LNB10R040W3 Lonten N-channel 100V, 120A, 4.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on).max@ V =10V 4.0m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provi
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History: AFN3016S | 2SJ113 | NCE01P13I | ME2309-G | F5V50
History: AFN3016S | 2SJ113 | NCE01P13I | ME2309-G | F5V50



Liste
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