LNB10R040W3 Todos los transistores

 

LNB10R040W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNB10R040W3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 909 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LNB10R040W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  lonten
 lnc10r040w3 lnd10r040w3 lne10r040w3 lnb10r040w3.pdf pdf_icon

LNB10R040W3

LNC10R040W3/LND10R040W3/LNE10R040W3/LNB10R040W3 Lonten N-channel 100V, 120A, 4.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on).max@ V =10V 4.0m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provi

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History: SI4812DY | 2SK3341N

 

 
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