LNB10R040W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNB10R040W3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 147 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 117 nC
Tiempo de subida (tr): 56 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 909 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNB10R040W3
LNB10R040W3 Datasheet (PDF)
lnc10r040w3 lnd10r040w3 lne10r040w3 lnb10r040w3.pdf
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LNC10R040W3/LND10R040W3/LNE10R040W3/LNB10R040W3 Lonten N-channel 100V, 120A, 4.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on).max@ V =10V 4.0m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provi
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Liste
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