Справочник MOSFET. LNB10R040W3

 

LNB10R040W3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNB10R040W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 909 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для LNB10R040W3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNB10R040W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  lonten
 lnc10r040w3 lnd10r040w3 lne10r040w3 lnb10r040w3.pdf pdf_icon

LNB10R040W3

LNC10R040W3/LND10R040W3/LNE10R040W3/LNB10R040W3 Lonten N-channel 100V, 120A, 4.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on).max@ V =10V 4.0m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provi

Другие MOSFET... 2N65N , 2N65M , 5N65D , 5N65E , 5N65M , 5N65N , 6N65F , 6N65D , 10N60 , LNB20N60 , LNB20N65 , LNB4N80 , LNC045R090 , LNC04R035B , LNC04R050 , LNC06R062 , LNC06R079 .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | TPM2101BC3 | CHM5813ESQ2GP | LSC70R380GT

 

 
Back to Top

 


 
.