Справочник MOSFET. LNB10R040W3

 

LNB10R040W3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNB10R040W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 117 nC
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 909 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для LNB10R040W3

 

 

LNB10R040W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  lonten
lnc10r040w3 lnd10r040w3 lne10r040w3 lnb10r040w3.pdf

LNB10R040W3
LNB10R040W3

LNC10R040W3/LND10R040W3/LNE10R040W3/LNB10R040W3 Lonten N-channel 100V, 120A, 4.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on).max@ V =10V 4.0m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top