LNB10R040W3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNB10R040W3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 909 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для LNB10R040W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNB10R040W3 даташит

 ..1. Size:772K  lonten
 lnc10r040w3 lnd10r040w3 lne10r040w3 lnb10r040w3.pdf pdf_icon

LNB10R040W3

LNC10R040W3/LND10R040W3/LNE10R040W3/LNB10R040W3 Lonten N-channel 100V, 120A, 4.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on).max@ V =10V 4.0m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provi

Другие IGBT... 2N65N, 2N65M, 5N65D, 5N65E, 5N65M, 5N65N, 6N65F, 6N65D, IRFP260N, LNB20N60, LNB20N65, LNB4N80, LNC045R090, LNC04R035B, LNC04R050, LNC06R062, LNC06R079