LNB20N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNB20N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 43.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 266 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNB20N65

LNB20N65 Datasheet (PDF)

..1. Size:1197K lonten
lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf

LNC20N65/LND20N65/LNB20N65Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 58.3 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (t

7.1. Size:1196K lonten
lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf

LNC20N60/ LND20N60/LNB20N60Lonten N-channel 600V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.45DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 63.7 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

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Liste

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