Справочник MOSFET. LNB20N65

 

LNB20N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNB20N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для LNB20N65

 

 

LNB20N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  lonten
 lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf

LNB20N65 LNB20N65

LNC20N65/LND20N65/LNB20N65Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 58.3 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (t

 7.1. Size:1196K  lonten
 lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf

LNB20N65 LNB20N65

LNC20N60/ LND20N60/LNB20N60Lonten N-channel 600V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.45DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 63.7 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top