LNB4N80 Todos los transistores

 

LNB4N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNB4N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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LNB4N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  lonten
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LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 800VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 3.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 18.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q

 ..2. Size:1406K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80 lng4n80 lnh4n80.pdf pdf_icon

LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80/LNG4N80/LNH4N80Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 800VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 3.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 18.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gat

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History: RTF010P02 | RSQ045N03TR | RTQ025P02FRA | CEP04N65 | TK30A06J3 | RT3U22M

 

 
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