Справочник MOSFET. LNB4N80

 

LNB4N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNB4N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для LNB4N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNB4N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80.pdf pdf_icon

LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 800VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 3.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 18.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q

 ..2. Size:1406K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80 lng4n80 lnh4n80.pdf pdf_icon

LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80/LNG4N80/LNH4N80Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 800VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 3.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 18.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gat

Другие MOSFET... 5N65E , 5N65M , 5N65N , 6N65F , 6N65D , LNB10R040W3 , LNB20N60 , LNB20N65 , P55NF06 , LNC045R090 , LNC04R035B , LNC04R050 , LNC06R062 , LNC06R079 , LNC06R110 , LNC06R140 , LNC06R200 .

History: IRFHM8337 | RTL035N03TR | VBC6N2022 | VBE1102N | CHM4431JGP

 

 
Back to Top

 


 
.