LNB4N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNB4N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для LNB4N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNB4N80 даташит

 ..1. Size:1346K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80.pdf pdf_icon

LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80 Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 800V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 3.8 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 18.9 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q

 ..2. Size:1406K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80 lng4n80 lnh4n80.pdf pdf_icon

LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80/LNG4N80/LNH4N80 Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 800V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 3.8 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 18.9 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gat

Другие IGBT... 5N65E, 5N65M, 5N65N, 6N65F, 6N65D, LNB10R040W3, LNB20N60, LNB20N65, IRF3710, LNC045R090, LNC04R035B, LNC04R050, LNC06R062, LNC06R079, LNC06R110, LNC06R140, LNC06R200