Справочник MOSFET. LNB4N80

 

LNB4N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNB4N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для LNB4N80

 

 

LNB4N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80.pdf

LNB4N80 LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 800VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 3.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 18.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q

 ..2. Size:1406K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80 lng4n80 lnh4n80.pdf

LNB4N80 LNB4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80/LNG4N80/LNH4N80Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 800VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 3.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 18.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gat

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top