LNC07R085H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNC07R085H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 65.4 nC
Tiempo de subida (tr): 27.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 248 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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LNC07R085H Datasheet (PDF)
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LNC07R085H&LNE07R085HLonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 70VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 85ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand
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