LNC07R085H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNC07R085H 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: TO-220
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LNC07R085H datasheet
lnc07r085h lne07r085h.pdf
LNC07R085H&LNE07R085H Lonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 70V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 8.5m GS technology. This advanced technology has been I 85A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
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History: JFFM10N80C | IXFN100N10S1 | CJQ9435 | JFFC10N65C | IXFP12N50PM | CJPF05N65
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Liste
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