LNC07R085H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LNC07R085H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для LNC07R085H
LNC07R085H Datasheet (PDF)
lnc07r085h lne07r085h.pdf

LNC07R085H&LNE07R085HLonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 70VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 85ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand
Другие MOSFET... LNC04R035B , LNC04R050 , LNC06R062 , LNC06R079 , LNC06R110 , LNC06R140 , LNC06R200 , LNC06R230 , AO3400 , LNC08R055W3 , LNC08R085 , LNC08R160 , LNC08R220 , LNC10N60 , LNC10N65 , LNC10R040W3 , LNC10R180 .
History: SRT12N058HD56 | AP2P9R0LYT | AP0603GH
History: SRT12N058HD56 | AP2P9R0LYT | AP0603GH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent