STK3NA50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK3NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: SOT82
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STK3NA50 datasheet
stk3na50.pdf
STK3NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STK3NA50 500 V
stk3na60.pdf
STK3NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STK3NA60 600 V
Otros transistores... STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , P55NF06 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 , STK9N10 , STP10NA40 , STP10NA40FI .
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Liste
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