STK3NA50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STK3NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT82
Аналог (замена) для STK3NA50
STK3NA50 Datasheet (PDF)
..1. Size:180K st
stk3na50.pdf
stk3na50.pdf
STK3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK3NA50 500 V
8.1. Size:118K st
stk3na60.pdf
stk3na60.pdf
STK3NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTK3NA60 600 V
Другие MOSFET... STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , 2SK3878 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 , STK9N10 , STP10NA40 , STP10NA40FI .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP80P06D | AP80P04NF | AP80P04D | AP80N07F | AP80N07D | AP80N06NF | AP80N04DF | AP80N04D | AP80N03NF | AP80N03DF | AP80N03D | AP80N02NF | AP80N02DF | AP7P15Y | AP7P15D | APG130N06NF
Popular searches
d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181