Справочник MOSFET. STK3NA50

 

STK3NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK3NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT82
 

 Аналог (замена) для STK3NA50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK3NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  st
stk3na50.pdfpdf_icon

STK3NA50

STK3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK3NA50 500 V

 8.1. Size:118K  st
stk3na60.pdfpdf_icon

STK3NA50

STK3NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTK3NA60 600 V

 9.1. Size:295K  st
stk3n50.pdfpdf_icon

STK3NA50

Другие MOSFET... STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , IRFB4115 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 , STK9N10 , STP10NA40 , STP10NA40FI .

History: IRFIZ34E

 

 
Back to Top

 


 
.