LNC13N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LNC13N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 212 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm

Encapsulados: TO-220

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LNC13N50 datasheet

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LNC13N50

LNC13N50/LND13N50 Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 13A D resulting device has low conduction resistance, R 0.46 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 33 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q =33

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