LNC13N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNC13N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 212 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNC13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC13N50 даташит

 ..1. Size:1255K  lonten
 lnc13n50 lnd13n50.pdf pdf_icon

LNC13N50

LNC13N50/LND13N50 Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 13A D resulting device has low conduction resistance, R 0.46 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 33 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q =33

Другие IGBT... LNC08R160, LNC08R220, LNC10N60, LNC10N65, LNC10R040W3, LNC10R180, LNC12N60, LNC12N65, 4435, LNC16N60, LNC16N65, LNC18N50, LNC20N60, LNC20N65, LNC2N60, LNC2N65, LNC4N60