Справочник MOSFET. LNC13N50

 

LNC13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNC13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 212 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для LNC13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  lonten
 lnc13n50 lnd13n50.pdf pdf_icon

LNC13N50

LNC13N50/LND13N50Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 13ADresulting device has low conduction resistance, R 0.46DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 33 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =33

Другие MOSFET... LNC08R160 , LNC08R220 , LNC10N60 , LNC10N65 , LNC10R040W3 , LNC10R180 , LNC12N60 , LNC12N65 , 2SK3568 , LNC16N60 , LNC16N65 , LNC18N50 , LNC20N60 , LNC20N65 , LNC2N60 , LNC2N65 , LNC4N60 .

History: AOB266L | TPCA8010-H | UPA1820GR | IRFI4110GPBF | PZD502CYB

 

 
Back to Top

 


 
.