Справочник MOSFET. LNC13N50

 

LNC13N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNC13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 212 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для LNC13N50

 

 

LNC13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  lonten
 lnc13n50 lnd13n50.pdf

LNC13N50 LNC13N50

LNC13N50/LND13N50Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 13ADresulting device has low conduction resistance, R 0.46DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 33 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =33

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top