LND04R035B Todos los transistores

 

LND04R035B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LND04R035B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 677 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de LND04R035B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LND04R035B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  lonten
 lnc04r035b lnd04r035b.pdf pdf_icon

LND04R035B

LNC04R035B/ LND04R035BLonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.5mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withst

Otros transistores... LNC4N60 , LNC4N65 , LNC4N80 , LNC5N50 , LNC5N65B , LNC7N60 , LNC7N60D , LNC7N65D , 20N50 , LND06R062 , LND06R079 , LND08R055W3 , LND08R085 , LND10N60 , LND10N65 , LND10R040W3 , LND10R180 .

History: IRFP4368PBF | SFG150N10KF | SSF7NS70UG | STD5NK40ZT4 | LSG65R1K5HT | BUK7613-60E | LSG60R650HT

 

 
Back to Top

 


 
.