LND04R035B Todos los transistores

 

LND04R035B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LND04R035B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 677 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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LND04R035B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  lonten
 lnc04r035b lnd04r035b.pdf pdf_icon

LND04R035B

LNC04R035B/ LND04R035BLonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.5mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withst

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History: BL2N50-D | IRF7832PBF-1 | FQA24N50F109 | STD5NK52ZD-1 | IRFU3806PBF | H50N03J | NVB60N06

 

 
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