LND04R035B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LND04R035B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 677 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LND04R035B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND04R035B даташит

 ..1. Size:728K  lonten
 lnc04r035b lnd04r035b.pdf pdf_icon

LND04R035B

LNC04R035B/ LND04R035B Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 3.5m GS technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with st

Другие IGBT... LNC4N60, LNC4N65, LNC4N80, LNC5N50, LNC5N65B, LNC7N60, LNC7N60D, LNC7N65D, IRFP450, LND06R062, LND06R079, LND08R055W3, LND08R085, LND10N60, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180