LND04R035B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LND04R035B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 677 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для LND04R035B
LND04R035B Datasheet (PDF)
lnc04r035b lnd04r035b.pdf

LNC04R035B/ LND04R035BLonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.5mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withst
Другие MOSFET... LNC4N60 , LNC4N65 , LNC4N80 , LNC5N50 , LNC5N65B , LNC7N60 , LNC7N60D , LNC7N65D , IRF1407 , LND06R062 , LND06R079 , LND08R055W3 , LND08R085 , LND10N60 , LND10N65 , LND10R040W3 , LND10R180 .
History: SM6A24NSFP | 2SK1740
History: SM6A24NSFP | 2SK1740



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913