Справочник MOSFET. LND04R035B

 

LND04R035B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND04R035B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 677 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LND04R035B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND04R035B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  lonten
 lnc04r035b lnd04r035b.pdf pdf_icon

LND04R035B

LNC04R035B/ LND04R035BLonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.5mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withst

Другие MOSFET... LNC4N60 , LNC4N65 , LNC4N80 , LNC5N50 , LNC5N65B , LNC7N60 , LNC7N60D , LNC7N65D , IRF1407 , LND06R062 , LND06R079 , LND08R055W3 , LND08R085 , LND10N60 , LND10N65 , LND10R040W3 , LND10R180 .

History: AM90P06-20P | NTMFS1D7N03CGT1G | G90N04 | TSM5ND50CP | WFD4N60B | NTB30N06L | FDMS8050ET30

 

 
Back to Top

 


 
.