LND06R079 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LND06R079
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 38 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.8 V
   Carga de la puerta (Qg): 69 nC
   Tiempo de subida (tr): 170 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 269 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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LND06R079 Datasheet (PDF)

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LNC06R079/LND06R079/LNE06R079Lonten N-channel 60V, 90A, 7.9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 60VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 7.9mGStechnology. This advanced technology has been I 90ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and wit

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LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

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Liste

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