Справочник MOSFET. LND06R079

 

LND06R079 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND06R079
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LND06R079

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND06R079 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  lonten
 lnc06r079 lnd06r079 lne06r079.pdf pdf_icon

LND06R079

LNC06R079/LND06R079/LNE06R079Lonten N-channel 60V, 90A, 7.9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 60VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 7.9mGStechnology. This advanced technology has been I 90ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and wit

 7.1. Size:1130K  lonten
 lnc06r062 lnd06r062 lne06r062.pdf pdf_icon

LND06R079

LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

Другие MOSFET... LNC4N80 , LNC5N50 , LNC5N65B , LNC7N60 , LNC7N60D , LNC7N65D , LND04R035B , LND06R062 , P60NF06 , LND08R055W3 , LND08R085 , LND10N60 , LND10N65 , LND10R040W3 , LND10R180 , LND12N60 , LND12N65 .

History: CHM634PAGP | ZXMN6A07F | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.