LND08R055W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LND08R055W3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 888 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND08R055W3

LND08R055W3 Datasheet (PDF)

..1. Size:1141K lonten
lnc08r055w3 lnd08r055w3 lne08r055w3.pdf

LNC08R055W3/LND08R055W3/LNE08R055W3 Lonten N-channel 85V, 120A, 5.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 85V effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 5.5m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

7.1. Size:1349K lonten
lnc08r085 lnd08r085 lne08r085.pdf

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History: VBQF1310

Liste

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