LND08R055W3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LND08R055W3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 888 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LND08R055W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND08R055W3 даташит

 ..1. Size:1141K  lonten
 lnc08r055w3 lnd08r055w3 lne08r055w3.pdf pdf_icon

LND08R055W3

LNC08R055W3/LND08R055W3/LNE08R055W3 Lonten N-channel 85V, 120A, 5.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 85V effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 5.5m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

 7.1. Size:1349K  lonten
 lnc08r085 lnd08r085 lne08r085.pdf pdf_icon

LND08R055W3

LNC08R085 LND08R085/LNE08R085 Lonten N-channel 80V, 80A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 80A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

Другие IGBT... LNC5N50, LNC5N65B, LNC7N60, LNC7N60D, LNC7N65D, LND04R035B, LND06R062, LND06R079, BS170, LND08R085, LND10N60, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60, LND12N65, LND13N50