LND13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 33 nC
Tiempo de subida (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 185 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.46 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND13N50
LND13N50 Datasheet (PDF)
..1. Size:1255K lonten
lnc13n50 lnd13n50.pdf
lnc13n50 lnd13n50.pdf
LNC13N50/LND13N50Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 13ADresulting device has low conduction resistance, R 0.46DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 33 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =33
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
