Справочник MOSFET. LND13N50

 

LND13N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LND13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для LND13N50

 

 

LND13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  lonten
 lnc13n50 lnd13n50.pdf

LND13N50 LND13N50

LNC13N50/LND13N50Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 13ADresulting device has low conduction resistance, R 0.46DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 33 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =33

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top