LND13N50 - описание и поиск аналогов

 

LND13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LND13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для LND13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND13N50 даташит

 ..1. Size:1255K  lonten
 lnc13n50 lnd13n50.pdf pdf_icon

LND13N50

LNC13N50/LND13N50 Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 13A D resulting device has low conduction resistance, R 0.46 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 33 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q =33

Другие IGBT... LND08R055W3, LND08R085, LND10N60, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60, LND12N65, SI2302, LND16N60, LND16N65, LND18N50, LND20N60, LND20N65, LND2N60, LND2N65, LND4N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.