Справочник MOSFET. LND13N50

 

LND13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LND13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  lonten
 lnc13n50 lnd13n50.pdf pdf_icon

LND13N50

LNC13N50/LND13N50Lonten N-channel 500V, 13A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 13ADresulting device has low conduction resistance, R 0.46DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 33 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =33

Другие MOSFET... LND08R055W3 , LND08R085 , LND10N60 , LND10N65 , LND10R040W3 , LND10R180 , LND12N60 , LND12N65 , IRFZ46N , LND16N60 , LND16N65 , LND18N50 , LND20N60 , LND20N65 , LND2N60 , LND2N65 , LND4N60 .

History: FY14AAJ-03F | H5N2803PF | VN2222LLG | H5N2802PF | IRLML6402PBF-1 | JBE103T | JBE102Y

 

 
Back to Top

 


 
.