LND18N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND18N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 50.5 nC
Tiempo de subida (tr): 42 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 284 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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LND18N50 Datasheet (PDF)
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LNC18N50/LND18N50Lonten N-channel 500V, 18A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 18ADresulting device has low conduction resistance, R 0.28DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 50.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =5
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