LND18N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LND18N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 284 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO-220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de LND18N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LND18N50 datasheet

 ..1. Size:1262K  lonten
 lnc18n50 lnd18n50.pdf pdf_icon

LND18N50

LNC18N50/LND18N50 Lonten N-channel 500V, 18A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 18A D resulting device has low conduction resistance, R 0.28 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 50.5 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q =5

Otros transistores... LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60, LND12N65, LND13N50, LND16N60, LND16N65, 20N50, LND20N60, LND20N65, LND2N60, LND2N65, LND4N60, LND4N65, LND4N80, LND5N50