Справочник MOSFET. LND18N50

 

LND18N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 284 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LND18N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1262K  lonten
 lnc18n50 lnd18n50.pdf pdf_icon

LND18N50

LNC18N50/LND18N50Lonten N-channel 500V, 18A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 18ADresulting device has low conduction resistance, R 0.28DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 50.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =5

Другие MOSFET... LND10N65 , LND10R040W3 , LND10R180 , LND12N60 , LND12N65 , LND13N50 , LND16N60 , LND16N65 , 2N60 , LND20N60 , LND20N65 , LND2N60 , LND2N65 , LND4N60 , LND4N65 , LND4N80 , LND5N50 .

History: 5N65 | AP1003BST | SIHG33N60EF | KDB3672 | AP0803GMT-A-HF | 2N5546

 

 
Back to Top

 


 
.