LND20N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND20N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 63.7 nC
Tiempo de subida (tr): 46.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 263 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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LND20N60 Datasheet (PDF)
lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf
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lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf
LNC20N65/LND20N65/LNB20N65Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 58.3 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (t
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