LND20N60 - описание и поиск аналогов

 

LND20N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LND20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для LND20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND20N60 даташит

 ..1. Size:1196K  lonten
 lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf pdf_icon

LND20N60

LNC20N60/ LND20N60/LNB20N60 Lonten N-channel 600V, 20A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 20A D resulting device has low conduction resistance, R 0.45 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 63.7 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge

 7.1. Size:1197K  lonten
 lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf pdf_icon

LND20N60

LNC20N65/LND20N65/LNB20N65 Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 20A D resulting device has low conduction resistance, R 0.5 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 58.3 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (t

Другие MOSFET... LND10R040W3 , LND10R180 , LND12N60 , LND12N65 , LND13N50 , LND16N60 , LND16N65 , LND18N50 , IRF520 , LND20N65 , LND2N60 , LND2N65 , LND4N60 , LND4N65 , LND4N80 , LND5N50 , LND5N65B .

History: WMB52N03T2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.