LNDN10N65 Todos los transistores

 

LNDN10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNDN10N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34.64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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LNDN10N65 Datasheet (PDF)

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LNDN10N65

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 10ADresulting device has low conduction resistance, R 1.0DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 34.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)

 9.1. Size:1285K  lonten
 lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65 lndn12n65.pdf pdf_icon

LNDN10N65

LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65/LNDN12N65Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 12ADresulting device has low conduction resistance, R 0.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 41.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)

Otros transistores... LND4N60 , LND4N65 , LND4N80 , LND5N50 , LND5N65B , LND7N60 , LND7N60D , LND7N65D , MMIS60R580P , LNDN12N65 , LNE06R062 , LNE06R079 , LNE06R110 , LNE06R140 , LNE07R085H , LNE08R055W3 , LNE08R085 .

History: 9N65 | BUZ307 | STD26P3LLH6 | CJ3400 | NCE70N290T | FS10AS-2 | G2003A

 

 
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