LNDN10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNDN10N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 34.2 nC
Tiempo de subida (tr): 34.64 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 144.2 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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LNDN10N65 Datasheet (PDF)
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LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 10ADresulting device has low conduction resistance, R 1.0DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 34.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)
lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65 lndn12n65.pdf
LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65/LNDN12N65Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 12ADresulting device has low conduction resistance, R 0.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 41.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)
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