LNDN10N65 - описание и поиск аналогов

 

LNDN10N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNDN10N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для LNDN10N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNDN10N65 даташит

 ..1. Size:1293K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65 lndn10n65.pdf pdf_icon

LNDN10N65

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 10A D resulting device has low conduction resistance, R 1.0 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 34.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on)

 9.1. Size:1285K  lonten
 lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65 lndn12n65.pdf pdf_icon

LNDN10N65

LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65/LNDN12N65 Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 12A D resulting device has low conduction resistance, R 0.8 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 41.9 nC g,typ energy. Features Low R DS(on)

Другие MOSFET... LND4N60 , LND4N65 , LND4N80 , LND5N50 , LND5N65B , LND7N60 , LND7N60D , LND7N65D , 7N60 , LNDN12N65 , LNE06R062 , LNE06R079 , LNE06R110 , LNE06R140 , LNE07R085H , LNE08R055W3 , LNE08R085 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.