LNE07R085H Todos los transistores

 

LNE07R085H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNE07R085H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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LNE07R085H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  lonten
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LNE07R085H

LNC07R085H&LNE07R085HLonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 70VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 85ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand

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History: GSM4822S | WMJ80R350S | FDB9403-F085

 

 
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