LNE07R085H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNE07R085H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 65.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 27.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 248 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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LNE07R085H Datasheet (PDF)

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lnc07r085h lne07r085h.pdf

LNC07R085H&LNE07R085HLonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 70VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 85ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand

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Liste

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