LNE07R085H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LNE07R085H  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de LNE07R085H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LNE07R085H datasheet

 ..1. Size:884K  lonten
 lnc07r085h lne07r085h.pdf pdf_icon

LNE07R085H

LNC07R085H&LNE07R085H Lonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 70V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 8.5m GS technology. This advanced technology has been I 85A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

Otros transistores... LND7N60D, LND7N65D, LNDN10N65, LNDN12N65, LNE06R062, LNE06R079, LNE06R110, LNE06R140, IRFB7545, LNE08R055W3, LNE08R085, LNE08R160, LNE10N60, LNE10N65, LNE10R040W3, LNE10R180, LNE12N60