Справочник MOSFET. LNE07R085H

 

LNE07R085H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNE07R085H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для LNE07R085H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNE07R085H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  lonten
 lnc07r085h lne07r085h.pdf pdf_icon

LNE07R085H

LNC07R085H&LNE07R085HLonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 70VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 85ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand

Другие MOSFET... LND7N60D , LND7N65D , LNDN10N65 , LNDN12N65 , LNE06R062 , LNE06R079 , LNE06R110 , LNE06R140 , 8N60 , LNE08R055W3 , LNE08R085 , LNE08R160 , LNE10N60 , LNE10N65 , LNE10R040W3 , LNE10R180 , LNE12N60 .

History: BUZ102AL | PSMN005-25D | TK6Q65W | 2SK3645-01MR | HIRF830 | IRFPF40PBF | APT50M65JLL

 

 
Back to Top

 


 
.