LNE07R085H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNE07R085H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNE07R085H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNE07R085H даташит

 ..1. Size:884K  lonten
 lnc07r085h lne07r085h.pdf pdf_icon

LNE07R085H

LNC07R085H&LNE07R085H Lonten N-channel 70V, 85A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 70V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 8.5m GS technology. This advanced technology has been I 85A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

Другие IGBT... LND7N60D, LND7N65D, LNDN10N65, LNDN12N65, LNE06R062, LNE06R079, LNE06R110, LNE06R140, IRFB7545, LNE08R055W3, LNE08R085, LNE08R160, LNE10N60, LNE10N65, LNE10R040W3, LNE10R180, LNE12N60