LNF4N65 Todos los transistores

 

LNF4N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNF4N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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LNF4N65 datasheet

 ..1. Size:1098K  lonten
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LNF4N65

LNC4N65 LND4N65 LNG4N65 LNH4N65 LNF4N65 Lonten N-channel 650V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 4A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 2.70 superior switching performance and high Qg,typ 12 nC avalance energy. Features Low RDS(on) Low gate

 8.1. Size:1293K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf pdf_icon

LNF4N65

LNC4N60 LND4N60 LNG4N60 LNH4N60 LNF4N60 Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 2.4 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 12.8 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate

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