LNF4N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LNF4N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 77 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 31 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO-262
LNF4N65 Datasheet (PDF)
lnc4n65 lnd4n65 lng4n65 lnh4n65 lnf4n65.pdf
LNC4N65\LND4N65\LNG4N65\LNH4N65\LNF4N65 Lonten N-channel 650V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 4A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 2.70 superior switching performance and high Qg,typ 12 nC avalance energy. Features Low RDS(on) Low gate
lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf
LNC4N60\LND4N60\LNG4N60\LNH4N60\LNF4N60Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 2.4DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
