Справочник MOSFET. LNF4N65

 

LNF4N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNF4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для LNF4N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNF4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1098K  lonten
 lnc4n65 lnd4n65 lng4n65 lnh4n65 lnf4n65.pdf pdf_icon

LNF4N65

LNC4N65\LND4N65\LNG4N65\LNH4N65\LNF4N65 Lonten N-channel 650V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 4A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 2.70 superior switching performance and high Qg,typ 12 nC avalance energy. Features Low RDS(on) Low gate

 8.1. Size:1293K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf pdf_icon

LNF4N65

LNC4N60\LND4N60\LNG4N60\LNH4N60\LNF4N60Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 2.4DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

Другие MOSFET... LNE10R180 , LNE12N60 , LNE12N65 , LNF10N60 , LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , IRF840 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 .

History: IRFH7446PBF | CSN64N12 | WMN80R160S | SFP350N100C2 | FDU6N25 | IRLML0100TRPBF | KP11N60D

 

 
Back to Top

 


 
.