LNF7N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNF7N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

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LNF7N65D Datasheet (PDF)

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lnc7n65d lnd7n65d lng7n65d lnh7n65d lnf7n65d.pdf

LNC7N65D\LND7N65D\LNG7N65D\LNH7N65D\ LNF7N65D Lonten N-channel 650V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.4 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.7nC energy. Features Low RDS(on) Lo

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Liste

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