LNF7N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNF7N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20.7 nC
Tiempo de subida (tr): 33.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 111 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
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LNF7N65D Datasheet (PDF)
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LNC7N65D\LND7N65D\LNG7N65D\LNH7N65D\ LNF7N65D Lonten N-channel 650V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.4 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.7nC energy. Features Low RDS(on) Lo
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History: SPI11N60C3
