LNF7N65D - описание и поиск аналогов

 

LNF7N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNF7N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для LNF7N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNF7N65D даташит

 ..1. Size:1097K  lonten
 lnc7n65d lnd7n65d lng7n65d lnh7n65d lnf7n65d.pdf pdf_icon

LNF7N65D

LNC7N65D LND7N65D LNG7N65D LNH7N65D LNF7N65D Lonten N-channel 650V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.4 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.7nC energy. Features Low RDS(on) Lo

Другие MOSFET... LNE12N60 , LNE12N65 , LNF10N60 , LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , 20N60 , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 .

History: P0903BD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.