XR46000ESETR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XR46000ESETR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Encapsulados: SOT223
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XR46000ESETR datasheet
xr46000esetr.pdf
XR46000 Product Brief N-Channel Power MOSFET Description FEATURES The XR46000 is a silicon N-channel enhanced power MOSFET. Fast switching With low conduction loss, good switching performance and high ESD improved capability Low gate charge (Typ. 7.5nC) avalanche energy, it is suitable for various power supply system, Low reverse transfer capacitance
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