XR46000ESETR Todos los transistores

 

XR46000ESETR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XR46000ESETR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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XR46000ESETR Datasheet (PDF)

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XR46000ESETR

XR46000 Product BriefN-Channel Power MOSFETDescriptionFEATURES The XR46000 is a silicon N-channel enhanced power MOSFET. Fast switchingWith low conduction loss, good switching performance and high ESD improved capabilityLow gate charge (Typ. 7.5nC)avalanche energy, it is suitable for various power supply system, Low reverse transfer capacitance

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History: HY1606P | NDS335N | FS3UM-16A | IRF7807TRPBF-1 | VN1206N5 | APT1201R4BLL | APT20M16LFLL

 

 
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