XR46000ESETR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: XR46000ESETR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223

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XR46000ESETR Datasheet (PDF)

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xr46000esetr.pdf

XR46000 Product BriefN-Channel Power MOSFETDescriptionFEATURES The XR46000 is a silicon N-channel enhanced power MOSFET. Fast switchingWith low conduction loss, good switching performance and high ESD improved capabilityLow gate charge (Typ. 7.5nC)avalanche energy, it is suitable for various power supply system, Low reverse transfer capacitance

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Liste

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