XR46000ESETR - описание и поиск аналогов

 

XR46000ESETR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: XR46000ESETR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для XR46000ESETR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XR46000ESETR даташит

 ..1. Size:114K  maxlinear
 xr46000esetr.pdf pdf_icon

XR46000ESETR

XR46000 Product Brief N-Channel Power MOSFET Description FEATURES The XR46000 is a silicon N-channel enhanced power MOSFET. Fast switching With low conduction loss, good switching performance and high ESD improved capability Low gate charge (Typ. 7.5nC) avalanche energy, it is suitable for various power supply system, Low reverse transfer capacitance

Другие MOSFET... LNE12N65 , LNF10N60 , LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , IRF540N , MC2539 , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.