Справочник MOSFET. XR46000ESETR

 

XR46000ESETR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: XR46000ESETR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для XR46000ESETR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XR46000ESETR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  maxlinear
 xr46000esetr.pdf pdf_icon

XR46000ESETR

XR46000 Product BriefN-Channel Power MOSFETDescriptionFEATURES The XR46000 is a silicon N-channel enhanced power MOSFET. Fast switchingWith low conduction loss, good switching performance and high ESD improved capabilityLow gate charge (Typ. 7.5nC)avalanche energy, it is suitable for various power supply system, Low reverse transfer capacitance

Другие MOSFET... LNE12N65 , LNF10N60 , LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , IRF540 , MC2539 , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 .

 

 
Back to Top

 


 
.