MC2539 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MC2539
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MC2539

MC2539 Datasheet (PDF)

..1. Size:695K megapower
mc2539.pdf

MC2539 -25V -1A PNP Low VCEsat Transistor with N-channeI Trench MOSFET GeneraI Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSignal transistor and N-channel Trench MOSFET.The High collector current capability IC and ICMdevice is housed in a leadless medium power DFN2X2 High collector current gain (hFE) at hi

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: