MC2539 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MC2539
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: DFN2X2
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MC2539 datasheet
mc2539.pdf
MC2539 -25V -1A PNP Low VCEsat Transistor with N-channeI Trench MOSFET GeneraI Description Features Combination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Signal transistor and N-channel Trench MOSFET.The High collector current capability IC and ICM device is housed in a leadless medium power DFN2X2 High collector current gain (hFE) at hi
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