MC2539 Todos los transistores

 

MC2539 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MC2539
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
 

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MC2539 Datasheet (PDF)

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MC2539

MC2539 -25V -1A PNP Low VCEsat Transistor with N-channeI Trench MOSFET GeneraI Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSignal transistor and N-channel Trench MOSFET.The High collector current capability IC and ICMdevice is housed in a leadless medium power DFN2X2 High collector current gain (hFE) at hi

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History: ZXMN2B03E6 | LSD60R380HT | TK14A65W | NCE75H25T | SFF054Z | 2SK439 | 2SK2551

 

 
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