Справочник MOSFET. MC2539

 

MC2539 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MC2539
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для MC2539

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MC2539 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  megapower
 mc2539.pdf pdf_icon

MC2539

MC2539 -25V -1A PNP Low VCEsat Transistor with N-channeI Trench MOSFET GeneraI Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSignal transistor and N-channel Trench MOSFET.The High collector current capability IC and ICMdevice is housed in a leadless medium power DFN2X2 High collector current gain (hFE) at hi

Другие MOSFET... LNF10N60 , LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , IRF540N , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 .

History: 18N10W | STFU16N65M2 | IRFBC30P | SFT016N80C3 | GSM4422 | SWN6N70DA

 

 
Back to Top

 


 
.