MC2539 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MC2539
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2
Аналог (замена) для MC2539
MC2539 Datasheet (PDF)
mc2539.pdf
MC2539 -25V -1A PNP Low VCEsat Transistor with N-channeI Trench MOSFET GeneraI Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSignal transistor and N-channel Trench MOSFET.The High collector current capability IC and ICMdevice is housed in a leadless medium power DFN2X2 High collector current gain (hFE) at hi
Другие MOSFET... LNF10N60 , LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , IRF540 , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 .
History: TMP18N20Z | HAT1130R | YJL2312AL
History: TMP18N20Z | HAT1130R | YJL2312AL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073


