MF5853CS Todos los transistores

 

MF5853CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MF5853CS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

MF5853CS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  megapower
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MF5853CS

MF5853CS P-ChanneI 20V (D-S MOSFET With Schottky DiodeGeneraI DescriptionFeaturesThis miniature surface mount MOSFET uses advanced VDS (V) 20VMOSFETID(A) 3 9A VGS 4 5V Trench process,low RDS(ON) assures minimal power RDS on 110 m @ VGS = 4 5Vloss energy conversion which makes this and device RDS on 145 m @ VGS = 2 5Videal f or

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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