MF5853CS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MF5853CS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: DFN2X3
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MF5853CS datasheet
mf5853cs.pdf
MF5853CS P-ChanneI 20V (D-S MOSFET With Schottky Diode GeneraI Description Features This miniature surface mount MOSFET uses advanced VDS (V) 20V MOSFET ID(A) 3 9A VGS 4 5V Trench process,low RDS(ON) assures minimal power RDS on 110 m @ VGS = 4 5V loss energy conversion which makes this and device RDS on 145 m @ VGS = 2 5V ideal f or
Otros transistores... LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , 50N06 , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B .
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