MF5853CS Todos los transistores

 

MF5853CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MF5853CS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3
 

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MF5853CS Datasheet (PDF)

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MF5853CS

MF5853CS P-ChanneI 20V (D-S MOSFET With Schottky DiodeGeneraI DescriptionFeaturesThis miniature surface mount MOSFET uses advanced VDS (V) 20VMOSFETID(A) 3 9A VGS 4 5V Trench process,low RDS(ON) assures minimal power RDS on 110 m @ VGS = 4 5Vloss energy conversion which makes this and device RDS on 145 m @ VGS = 2 5Videal f or

Otros transistores... LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , 50N06 , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B .

History: F12F50VX2 | MEE3716T | F15F60C3M | IRF7240PBF | ME50P06-G | ME8117-G | AP2300MI

 

 
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