Справочник MOSFET. MF5853CS

 

MF5853CS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MF5853CS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
 

 Аналог (замена) для MF5853CS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MF5853CS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  megapower
 mf5853cs.pdf pdf_icon

MF5853CS

MF5853CS P-ChanneI 20V (D-S MOSFET With Schottky DiodeGeneraI DescriptionFeaturesThis miniature surface mount MOSFET uses advanced VDS (V) 20VMOSFETID(A) 3 9A VGS 4 5V Trench process,low RDS(ON) assures minimal power RDS on 110 m @ VGS = 4 5Vloss energy conversion which makes this and device RDS on 145 m @ VGS = 2 5Videal f or

Другие MOSFET... LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , 50N06 , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B .

History: AOD254 | ST2304SRG

 

 
Back to Top

 


 
.