MF5853CS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MF5853CS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: DFN2X3
MF5853CS Datasheet (PDF)
mf5853cs.pdf

MF5853CS P-ChanneI 20V (D-S MOSFET With Schottky DiodeGeneraI DescriptionFeaturesThis miniature surface mount MOSFET uses advanced VDS (V) 20VMOSFETID(A) 3 9A VGS 4 5V Trench process,low RDS(ON) assures minimal power RDS on 110 m @ VGS = 4 5Vloss energy conversion which makes this and device RDS on 145 m @ VGS = 2 5Videal f or
Другие MOSFET... LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , 50N06 , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B .
History: AUIRFS4610TRL
History: AUIRFS4610TRL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a