MF5853CS - описание и поиск аналогов

 

MF5853CS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MF5853CS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для MF5853CS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MF5853CS даташит

 ..1. Size:428K  megapower
 mf5853cs.pdf pdf_icon

MF5853CS

MF5853CS P-ChanneI 20V (D-S MOSFET With Schottky Diode GeneraI Description Features This miniature surface mount MOSFET uses advanced VDS (V) 20V MOSFET ID(A) 3 9A VGS 4 5V Trench process,low RDS(ON) assures minimal power RDS on 110 m @ VGS = 4 5V loss energy conversion which makes this and device RDS on 145 m @ VGS = 2 5V ideal f or

Другие MOSFET... LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , 50N06 , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.