Справочник MOSFET. MF5853CS

 

MF5853CS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MF5853CS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MF5853CS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  megapower
 mf5853cs.pdf pdf_icon

MF5853CS

MF5853CS P-ChanneI 20V (D-S MOSFET With Schottky DiodeGeneraI DescriptionFeaturesThis miniature surface mount MOSFET uses advanced VDS (V) 20VMOSFETID(A) 3 9A VGS 4 5V Trench process,low RDS(ON) assures minimal power RDS on 110 m @ VGS = 4 5Vloss energy conversion which makes this and device RDS on 145 m @ VGS = 2 5Videal f or

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NP110N055PUJ | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.