NP2301AMR-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP2301AMR-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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NP2301AMR-G Datasheet (PDF)

..1. Size:662K natlinear
np2301amr-g.pdf

NP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagram The NP2301A uses advanced trench technology Sto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM Gapplications. General Features D VDS =-20VID =-2.8A Marking and pin assignment RDS(ON)(Typ.)=7

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History: IRL3103S

Liste

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