NP2301AMR-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP2301AMR-G
   Código: 23AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 6.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 61 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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NP2301AMR-G Datasheet (PDF)

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np2301amr-g.pdf

NP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagram The NP2301A uses advanced trench technology Sto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM Gapplications. General Features D VDS =-20VID =-2.8A Marking and pin assignment RDS(ON)(Typ.)=7

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Liste

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