NP2301AMR-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NP2301AMR-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Encapsulados: SOT23
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NP2301AMR-G datasheet
np2301amr-g.pdf
NP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP2301A uses advanced trench technology S to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM G applications. General Features D VDS =-20V ID =-2.8A Marking and pin assignment RDS(ON)(Typ.)=7
Otros transistores... LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , IRFP460 , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B , LNG04R050 .
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