NP2301AMR-G Todos los transistores

 

NP2301AMR-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP2301AMR-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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NP2301AMR-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  natlinear
 np2301amr-g.pdf pdf_icon

NP2301AMR-G

NP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagram The NP2301A uses advanced trench technology Sto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM Gapplications. General Features D VDS =-20VID =-2.8A Marking and pin assignment RDS(ON)(Typ.)=7

Otros transistores... LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , IRF640 , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B , LNG04R050 .

History: NTS4101PT1

 

 
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