NP2301AMR-G - аналоги и даташиты транзистора

 

NP2301AMR-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NP2301AMR-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для NP2301AMR-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP2301AMR-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  natlinear
 np2301amr-g.pdf pdf_icon

NP2301AMR-G

NP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagram The NP2301A uses advanced trench technology Sto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM Gapplications. General Features D VDS =-20VID =-2.8A Marking and pin assignment RDS(ON)(Typ.)=7

Другие MOSFET... LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , IRF640 , NP8205MR , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B , LNG04R050 .

History: NDD03N40Z | 2SK2507 | SWB060R65E7T

 

 
Back to Top

 


 
.