LNG03R031 Todos los transistores

 

LNG03R031 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNG03R031
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 146 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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LNG03R031 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  lonten
lng03r031 lnh03r031.pdf

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LNG03R031/ LNH03R031Lonten N-channel 30V, 120A, 3.1m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 30VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.1mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstan

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