Справочник MOSFET. LNG03R031

 

LNG03R031 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNG03R031
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для LNG03R031

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNG03R031 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  lonten
 lng03r031 lnh03r031.pdf pdf_icon

LNG03R031

LNG03R031/ LNH03R031Lonten N-channel 30V, 120A, 3.1m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 30VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.1mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstan

Другие MOSFET... LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , IRFP460 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B , LNG04R050 , LNG04R075 , LNG04R120 .

History: DMG9926UDM | R6515KNJ | RMW200N03 | WMLL010N04LG4 | STU80N4F6 | RU2060L | DG4N65-TO251

 

 
Back to Top

 


 
.