LNG5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNG5N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 12.8 nC
Tiempo de subida (tr): 33.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80.3 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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LNG5N50 Datasheet (PDF)
lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf
LNC5N50\LND5N50\LNG5N50\LNH5N50Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 1.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge
lnc5n65b lnd5n65b lng5n65b lnh5n65b.pdf
LNC5N65B\LND5N65B\LNG5N65B\LNH5N65BLonten N-channel 650V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 2.1DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 14.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate ch
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