Справочник MOSFET. LNG5N50

 

LNG5N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNG5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LNG5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1205K  lonten
 lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf pdf_icon

LNG5N50

LNC5N50\LND5N50\LNG5N50\LNH5N50Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 1.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

 9.1. Size:1292K  lonten
 lnc5n65b lnd5n65b lng5n65b lnh5n65b.pdf pdf_icon

LNG5N50

LNC5N65B\LND5N65B\LNG5N65B\LNH5N65BLonten N-channel 650V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 2.1DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 14.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate ch

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 12P10L-TA3-T | 12N65KL-TF1-T | GP1M009A020XX | DK48N80 | STP13NM60ND | IPA65R099C6 | 2SK3109-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.