LNL04R120 Todos los transistores

 

LNL04R120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNL04R120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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LNL04R120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  lonten
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LNL04R120

LNL04R120Lonten N-channel 40V, 12A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 12ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy p

 8.1. Size:950K  lonten
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LNL04R120

LNL04R075 Lonten N-channel 40V, 18A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 18A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

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History: FDS6162N7 | 2P50G-TN3-R | BRCS060N15SHRA | BRB10N65 | 14N50L-TF3-T | SGSP201

 

 
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