LNL04R120 Todos los transistores

 

LNL04R120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNL04R120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de LNL04R120 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LNL04R120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  lonten
 lnl04r120.pdf pdf_icon

LNL04R120

LNL04R120Lonten N-channel 40V, 12A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 12ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy p

 8.1. Size:950K  lonten
 lnl04r075.pdf pdf_icon

LNL04R120

LNL04R075 Lonten N-channel 40V, 18A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 18A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

Otros transistores... LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D , LNH7N65D , LNL04R075 , AON6380 , LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 .

History: NVMFS6B14NL | SUU10P10-195

 

 
Back to Top

 


 
.