LNL04R120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNL04R120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 27.5 nC
Tiempo de subida (tr): 19.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 158 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNL04R120
LNL04R120 Datasheet (PDF)
lnl04r120.pdf
LNL04R120Lonten N-channel 40V, 12A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 12ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy p
lnl04r075.pdf
LNL04R075 Lonten N-channel 40V, 18A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 18A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy
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