LNL04R120 Todos los transistores

 

LNL04R120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LNL04R120

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de LNL04R120 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LNL04R120 datasheet

 ..1. Size:854K  lonten
 lnl04r120.pdf pdf_icon

LNL04R120

LNL04R120 Lonten N-channel 40V, 12A, 12m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 12m GS technology. This advanced technology has been I 12A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy p

 8.1. Size:950K  lonten
 lnl04r075.pdf pdf_icon

LNL04R120

LNL04R075 Lonten N-channel 40V, 18A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 18A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

Otros transistores... LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D , LNH7N65D , LNL04R075 , IRFZ24N , LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 .

History: BLF7G27L-100

 

 

 

 

↑ Back to Top
.