LNL04R120 - аналоги и даташиты транзистора

 

LNL04R120 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LNL04R120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для LNL04R120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNL04R120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  lonten
 lnl04r120.pdf pdf_icon

LNL04R120

LNL04R120Lonten N-channel 40V, 12A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 12ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy p

 8.1. Size:950K  lonten
 lnl04r075.pdf pdf_icon

LNL04R120

LNL04R075 Lonten N-channel 40V, 18A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 18A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

Другие MOSFET... LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D , LNH7N65D , LNL04R075 , IRFZ24N , LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 .

History: LNSC2302 | WMK10N60C4 | WMJ28N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.