LNND04R120 Todos los transistores

 

LNND04R120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNND04R120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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LNND04R120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  lonten
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LNND04R120

LNND04R120Lonten N-channel 40V, 20A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 20ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy

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History: GSM2304AS | 2P308A9 | BL4N65-P | AP9971GM

 

 
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