LNND04R120 Todos los transistores

 

LNND04R120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNND04R120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de LNND04R120 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LNND04R120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  lonten
 lnnd04r120.pdf pdf_icon

LNND04R120

LNND04R120Lonten N-channel 40V, 20A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 20ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy

Otros transistores... LNH7N65D , LNL04R075 , LNL04R120 , LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , IRF730 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 .

 

 
Back to Top

 


 
.