Справочник MOSFET. LNND04R120

 

LNND04R120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNND04R120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для LNND04R120

 

 

LNND04R120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  lonten
 lnnd04r120.pdf

LNND04R120 LNND04R120

LNND04R120Lonten N-channel 40V, 20A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 20ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top