Справочник MOSFET. LNND04R120

 

LNND04R120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNND04R120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для LNND04R120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNND04R120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  lonten
 lnnd04r120.pdf pdf_icon

LNND04R120

LNND04R120Lonten N-channel 40V, 20A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 20ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy

Другие MOSFET... LNH7N65D , LNL04R075 , LNL04R120 , LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , IRF730 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.