LNND04R120 - описание и поиск аналогов

 

LNND04R120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNND04R120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для LNND04R120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNND04R120 даташит

 ..1. Size:768K  lonten
 lnnd04r120.pdf pdf_icon

LNND04R120

LNND04R120 Lonten N-channel 40V, 20A, 12m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 12m GS technology. This advanced technology has been I 20A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

Другие MOSFET... LNH7N65D , LNL04R075 , LNL04R120 , LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , IRFB31N20D , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 .

History: SE30P12

 

 

 

 

↑ Back to Top
.