LPL4459 Todos los transistores

 

LPL4459 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPL4459
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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LPL4459 Datasheet (PDF)

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LPL4459

LPL4459 Lonten P-channel -30V, -6.5A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been ID -6.5A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

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History: SIHFBC30S | AP60N2R5IN | 2N60L-TF1-T | STP40NF03L | 2N60G-T6C-K | FDMS86180 | HMS80N10AL

 

 
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